消息称三星电子平泽P3晶圆厂下月开始安置设备

          据 TheLec 报道，三星电子 2020 年开始在韩国平泽市建设的 P3 晶圆厂，将在下月开始设备的安装，计划在今年下半年建成。
 
          从外媒的报道来看，三星电子平泽 P3 晶圆厂，规划的是一座既生产存储芯片，又生产逻辑芯片的工厂，率先投产的是 NAND 闪存，随后是 DRAM，随后是采用 3nm 工艺为其他厂商代工晶圆的生产线。
 
          三星电子平泽 P3 晶圆厂率先开始生产 NAND 闪存，也就意味着工厂设备的安装，将从 NAND 闪存生产设备开始，外媒在报道中是表示在 5 月份的第一个周就将开始安装。
 
          值得注意的是，三星电子的这一座工厂，将大量采用极紫外光刻机。外媒在报道中就提到，这一工厂的 NAND 闪存生产线，将采用极紫外光刻机生产第 7 代 176 层 V-NAND 闪存，为其他厂商代工晶圆的 3nm 工艺，也需要极紫外光刻机。